Parece que a **ChangXin Memory Technologies** (CXMT), a rebelde da memória na China, começou a produção de risco das suas memórias **HBM3E**. É isso mesmo, enquanto os gigantes como Micron, Samsung e SK Hynix estão a bombar as suas **HBM4**, eles estão a tentar meter a cabeça acima da água a um degrau inferior. Mas hey, pelo menos conseguiram chegar a este marco!
Avanço Técnico? Ou Apenas Sonhos?
As especificações dos novos produtos de **HBM3E** da CXMT ainda são um mistério. Como estamos a falar de produção de risco, é mais possível que as especificações finais não sejam lá grande coisa. Contudo, segundo os padrões gerais da **JEDEC**, já se sabe que estes módulos são bem ambiciosos, com uma interface de memória de **1.024 bits** e taxas de transferência até **9.6 GT/s** por pino. Se a velocidade de facto for a prometida, podemos estar a falar de uma largura de banda de até **1.228 TB/s**. Isto é potência pura, minha gente!
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Se Não Gritar, Não Marcará Golos
Enquanto isso, várias empresas chinesas, como o grupo Alibaba e Cambricon Technologies, estão a avaliar a nova HBM3E. Se tudo correr como planeado e se conseguirem aproveitar esta tecnologia, poderão integrá-la em produtos comerciais já no próximo ano. A CXMT precisa de expandir a capacidade de produção rapidamente, porque cada pacote de HBM requer múltiplos dies de grande dimensão. Se tudo correr bem, este poderá ser um passo importante para a China libertar-se de dependências externas.
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No entanto, não podemos deixar de destacar que HBM é substancialmente mais difícil de produzir do que a DRAM convencional. Precisam não só de dies competitivos, mas de um empilhamento de alta taxa de sucesso, vias de silício (TSVs) e gestão térmica. O simples facto de conseguir avançar para a produção de risco da HBM3E demonstrará que o ecossistema de memórias da China está a evoluir, além de apenas fabricar DRAM de consumo.
Ao Fim do Dia, Vale a Pena?
Então, qual é o veredicto? Se o objetivo é os poderosos aceleradores de IA, cujo mercado está a explodir pelas costuras, a HBM3E pode ser apenas a resposta que a China precisava. Apesar de estar uma geração atrás do HBM4, esta memória ainda tem potencial para fornecer várias TB/s de largura de banda, algo suficiente para a maioria das aplicações de IA.
Dito isto, se a sua ideia é investir na próxima revolução tecnológica, mantenha um olho no que vem a seguir da CXMT. Se forem capazes de produzir a HBM3E de forma fiável e em quantidade, poderemos estar a falar do futuro — um futuro onde a dependência da China das grandes marcas pode ser um sonho distante. Por agora, não é lixo tecnológico, mas o tempo dirá se é ou não uma boa aposta!
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